企业简介
四川广义微电子股份有限公司 main business:半导体元器件的设计、研发、制造、销售和技术咨询服务；进出口业务；电子产品、技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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四川广义微电子股份有限公司的工商信息
- 510900000058963
- 91510900092971364Y
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
- 2014年03月05日
- 崔永明
- 12000.000000
- 2014年03月05日 至 永久
- 遂宁市工商行政管理局
- 2015年12月23日
- 四川省遂宁市经济技术开发区内（东临核心区、西临泰吉路、南临产业示范区、北至水库都市新村）
- 半导体元器件的设计、研发、制造、销售和技术咨询服务；进出口业务；电子产品、技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
四川广义微电子股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104201203B | 高耐压LDMOS器件及其制造方法 | 2016.03.30 | 本发明所述高耐压LDMOS器件，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的源区和漏 |
| 2 | CN204991687U | 一种可分离的IGBT芯片结构 | 2016.01.20 | 本实用新型公开了一种可分离的IGBT芯片结构，包括一个长方体的散热基座，散热基座的上表面安装有IGB |
| 3 | CN105047624A | IGBT芯片导热模块及其制备方法 | 2015.11.11 | 本发明公开了IGBT芯片导热模块及其制备方法，IGBT芯片导热模块，包括IGBT模块，IGBT模块的 |
| 4 | CN105047700A | 一种新型轻穿通IGBT器件的制备方法 | 2015.11.11 | 本发明涉及功率半导体器件领域，公开了一种新型轻穿通IGBT器件的制备方法。所述制备方法制得的IGBT |
| 5 | CN204732395U | 多个IGBT芯片集成结构 | 2015.10.28 | 本实用新型公开了多个IGBT芯片集成结构，散热体采用上侧板、下侧板、左侧板、右侧板合围形成矩形管道， |
| 6 | CN104362132B | 芯片封装件 | 2015.10.28 | 本发明所述芯片封装件，包括第一金属封装片和第二金属封装片，所述第一金属封装片和第二金属封装片具有对应 |
| 7 | CN204732394U | 一种带有高功率IGBT芯片的模块 | 2015.10.28 | 本实用新型公开一种带有高功率IGBT芯片的模块，散热体采用上侧板、下侧板、左侧板、右侧板合围形成矩形 |
| 8 | CN204706566U | 一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构 | 2015.10.14 | 本实用新型涉及功率半导体器件领域，公开了一种具有过电保护功能的轻穿通型IGBT芯片结构。所述轻穿通型 |
| 9 | CN204697471U | IGBT芯片水冷专用基板 | 2015.10.07 | 本实用新型公开了IGBT芯片水冷专用基板，包括上毛坯板和下毛坯板，上毛坯板面向下毛坯板的一面设置有2 |
| 10 | CN204680661U | IGBT芯片散热包围模块 | 2015.09.30 | 本实用新型公开了IGBT芯片散热包围模块，包括IGBT模块，IGBT模块的底部通过焊接层B连接在导热 |
| 11 | CN204668313U | 一种新型轻穿通IGBT器件 | 2015.09.23 | 本实用新型涉及功率半导体器件领域，公开了一种新型轻穿通IGBT器件。所述新型轻穿通IGBT器件，集合 |
| 12 | CN204668301U | 功率MOS管芯片多联结构 | 2015.09.23 | 功率MOS管芯片多联结构，包括多个功率管芯片，所述功率管芯片的外露封装面上包括互相绝缘的第一电极、控 |
| 13 | CN104900704A | 一种纵向DMOS器件 | 2015.09.09 | 一种纵向DMOS芯片，包括纵向DMOS器件，所述纵向DMOS器件包括A型漏区，位于A型漏区上方的B型 |
| 14 | CN104882443A | MOS开关电容电路的芯片集成结构 | 2015.09.02 | MOS开关电容电路的芯片集成结构，包括A型外延层，还包括位于A型外延层上的第一B型器件和第二B型器件 |
| 15 | CN204558470U | 源级大电容MOS器件 | 2015.08.12 | 源极大电容MOS器件，包括A型外延层，还包括位于A型外延层上的B型MOS器件，所述B型MOS器件源极 |
| 16 | CN204558459U | 基于MOS工艺的芯片静电防护结构 | 2015.08.12 | 基于MOS工艺的芯片静电防护结构，包括外延层，还包括基底浅注入层，所述基底浅注入层顶部设置有第一注入 |
| 17 | CN204558464U | 基于MOS工艺的高压集成芯片 | 2015.08.12 | 基于MOS工艺的高压集成芯片，包括外延层，还包括基底注入层，所述基底注入层顶部设置有第一注入区，基底 |
| 18 | CN104407640B | 温度自适应调整功率管 | 2015.07.29 | 温度自适应调整功率管，包括信号输入端及功率管栅极，其特征在于，还包括栅极控制电路，所述栅极控制电路由 |
| 19 | CN104201204B | 横向对称DMOS管制造方法 | 2015.06.17 | 横向对称DMOS管，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区，有源区上 |
| 20 | CN104407640A | 温度自适应调整功率管 | 2015.03.11 | 温度自适应调整功率管，包括信号输入端、功率管及其栅极，其特征在于，还包括栅极控制电路，所述栅极控制电 |
| 21 | CN104362132A | 芯片封装件 | 2015.02.18 | 本发明所述芯片封装件，包括第一金属封装片和第二金属封装片，所述第一金属封装片和第二金属封装片具有对应 |
| 22 | CN204067371U | 高耐压LDMOS器件 | 2014.12.31 | 本实用新型所述高耐压LDMOS器件，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的源区 |
| 23 | CN204029815U | 横向对称DMOS管 | 2014.12.17 | 横向对称DMOS管，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区，有源区上 |
| 24 | CN204031117U | 自调整温度的功率晶体管 | 2014.12.17 | 自调整温度的功率晶体管，包括功率晶体管，还包括降压NMOS管，所述降压NMOS管的源和漏分别连接功率 |
| 25 | CN204031121U | 并联均流晶体管输出级 | 2014.12.17 | 并联均流晶体管输出级，包括信号输入端、至少一个基极连接在一起的输出晶体管对，所述输出晶体管对包括两个 |
| 26 | CN104201203A | 高耐压LDMOS器件及其制造方法 | 2014.12.10 | 本发明所述高耐压LDMOS器件，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的源区和漏 |
| 27 | CN104201204A | 横向对称DMOS管及其制造方法 | 2014.12.10 | 横向对称DMOS管，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区，有源区上 |
| 28 | CN203950812U | 输出驱动级功率MOS器件 | 2014.11.19 | 输出驱动级功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极，栅极与硅片本体之间具有栅氧绝缘层，位于栅氧 |
| 29 | CN203950811U | 基于0.25微米工艺的功率MOS器件结构 | 2014.11.19 | 基于0.25微米工艺的功率MOS器件结构，所述栅极呈方波形状，源极和漏极分别位于栅极两侧，并与栅极对 |
| 30 | CN203950810U | 基于6英寸硅片工艺的静电防护功率MOS器件 | 2014.11.19 | 基于6英寸硅片工艺的静电防护功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极，栅极与硅片本体之间具有绝 |
| 31 | CN203950807U | 大功率MOS器件 | 2014.11.19 | 大功率MOS器件，所述栅极呈方波形状，源极和漏极分别位于栅极两侧，并与栅极对应一侧的外缘形状配合；所 |
| 32 | CN203910794U | 二极管芯片联合封装结构 | 2014.10.29 | 本实用新型所述二极管芯片联合封装结构，包括多颗二极管芯片、绝缘基板、第一电极及第二电极，所述第一电极 |
| 33 | CN203910861U | 垂直功率二极管封装体 | 2014.10.29 | 本实用新型所述垂直功率二极管封装体，包括绝缘基板、第一电极及第二电极，所述第一电极数量不止一个，所述 |
| 34 | CN203883010U | 电路功率管结构 | 2014.10.15 | 电路功率管结构，包括位于半导体衬底上方的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区为交错排列 |
| 35 | CN203883005U | 集成电路保护结构 | 2014.10.15 | 集成电路保护结构，包括静电保护器件，包围所述静电保护器件的保护环，所述保护环至少包括第一物理层、第二 |
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